САНТА-КЛАРА, Калифорния, 7 декабря 2005 года. – Сегодня корпорация Intel объявила о создании прототипа нового сверхбыстрого и при том очень экономичного транзистора. Это стало возможным благодаря использованию новых материалов, которые во второй половине следующего десятилетия могут послужить основой усовершенствованных микропроцессоров и других логических схем.

Инженеры компаний Intel и QinetiQ продемонстрировали работающий в режиме обогащения транзистор, в котором в качестве токопроводящего материала используется антимонид индия (химическое обозначение — InSb). Как известно, транзисторы в микропроцессорах управляют переносом электрических зарядов и, соответственно, информации. Представленный прототип транзистора работает гораздо быстрее и потребляет меньше энергии, чем современные транзисторы. Инженеры Intel рассчитывают, что новый материал прекрасно дополнит достоинства полупроводников, а это, в свою очередь, продлит срок действия закона Мура.

Значительное снижение энергопотребления на уровне транзисторов в сочетании с существенным повышением производительности имеет большое значение для дальнейшего развития вычислительных платформ, позволяя реализовать в них дополнительные функции и возможности. Это, например, может существенно продлить срок автономной работы мобильных устройств и открывает новые возможности для создания более компактных и в то же время более мощных систем.

«Результаты исследований позволяют с уверенностью утверждать, что у нас будут средства реализации потенциала закона Мура и после 2015 года, — заявил Кен Дэвид, руководитель группы исследований компонентов отделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel. — Мы рассчитываем, что нам удастся воплотить достоинства новых материалов в более совершенных полупроводниковых схемах, как это уже произошло со многими другими техническими достижениями Intel. Обеспечивая повышение производительности в полтора раза и потребляя примерно в 10 раз меньше энергии, транзисторы из нового материала предоставят нам великолепные возможности для создания платформ, более эффективных во всех отношениях».

Антимонид индия относится к так называемым композиционным полупроводникам III-V, которые в настоящее время используются в различных автономных и интегрированных системах, таких как высокочастотные усилители, микроволновые устройства и полупроводниковые лазеры.

Транзисторы с каналами из антимонида индия уже анонсировались инженерами Intel и QinetiQ ранее. Анонсированные сегодня транзисторы с длиной затвора 85 нанометров отличаются от них еще меньшими размерами (более чем в 2 раза). Новые транзисторы, работающие в режиме обогащения, были продемонстрированы впервые. Транзисторы этого типа являются самыми распространенными транзисторами, используемыми в микропроцессорах и других логических схемах. Новые транзисторы могут работать при напряжении около 0,5 В (это примерно вдвое меньше, чем напряжение, используемое транзисторами современных процессоров). Благодаря этому можно существенно снизить энергопотребление процессоров.

«Данное исследование — прекрасный пример того, как компания QinetiQ в сотрудничестве с Intel и другими ведущими компаниями мира разрабатывает технологии с отличным коммерческим потенциалом», — подчеркнул Тим Филлипс, коммерческий руководитель отделения Fast Transistors Group компании QinetiQ.

На конференции IEDM, прошедшей 5-7 декабря в столице США — Вашингтоне, был представлен официальный документ, посвященный этому достижению. Документ называется «85nm Gate Length Enhancement and Depletion mode InSb Quantum Well Transistors for Ultra High Speed and Very Low Power Digital Logic Applications («Сверхвысокая скорость и очень низкое энергопотребление: транзисторы из антимонида индия с длиной затвора 85 нм, работающие в режиме обеднения на основе «квантового колодца»)».

По материалам Intel.com